SP8651 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SP8651
Маркировка: 8651
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.32 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 463 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: SMINI8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SP8651 Datasheet (PDF)
sp8651.pdf

GreenProductSP8651aS mHop Microelectronics C orp.Ver 3.7Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.14.0 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.15.0 @ VGS=4.0V ESD Protected.24V 10A 16.0 @ VGS=3.7V 17.5 @ VGS=3.1V 21.0 @ VGS=2.5V 5 4D2 G 2
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735