SP8651 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SP8651
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.32 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 463 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: SMINI8
Аналог (замена) для SP8651
SP8651 Datasheet (PDF)
sp8651.pdf
GreenProductSP8651aS mHop Microelectronics C orp.Ver 3.7Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.14.0 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.15.0 @ VGS=4.0V ESD Protected.24V 10A 16.0 @ VGS=3.7V 17.5 @ VGS=3.1V 21.0 @ VGS=2.5V 5 4D2 G 2
Другие MOSFET... FDS6680AS , STA6611 , FDS6681Z , FDS6682 , STA6610 , FDS6690AS , STA4470 , FDS6692A , IRFZ44 , FDS6699S , SP8611 , FDS6892A , FDS6898A , FDS6898AZ , FDS6898AZF085 , FDS6900AS , SP8608 .
History: APM4354KP | STA6968 | WMQ18P04TS
History: APM4354KP | STA6968 | WMQ18P04TS
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735


