SWHA80N08V1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWHA80N08V1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 312 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0113 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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SWHA80N08V1 datasheet

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SWHA80N08V1

SW80N08V1 N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features BVDSS 80V DFN5*6 High ruggedness ID 11A Low RDS(ON) (Typ 9.9m )@VGS=4.5V 1 8 (Typ 8.9m )@VGS=10V RDS(ON) 9.9m @VGS=4.5V 2 7 Low Gate Charge (Typ 79nC) 6 3 5 8.9m @VGS=10V 4 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested Application Synchronous Rectification,

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SWHA80N08V1

SW80N06V1 N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features DFN5*6 BVDSS 60V High ruggedness ID 14A Low RDS(ON) (Typ 6.6m )@VGS=4.5V 1 8 (Typ 5.4m )@VGS=10V 2 7 RDS(ON) 6.6m @VGS=4.5V 6 3 Low Gate Charge (Typ 94nC) 5 4 5.4m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested Application Synchronous Rectification, D

Otros transistores... SWHA13N65K2, SWHA15N04V, SWHA35N10V, SWHA40N06V, SWHA50P03, SWHA60N04V, SWHA7N65M, SWHA80N06V1, K2611, SWHC13N65K2, SWI051R08ES, SWI055R03VT, SWI069R06VT, SWI075R06ET, SWI085R06VS, SWI100R10VT, SWI110R06VT