SWHA80N08V1 Todos los transistores

 

SWHA80N08V1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWHA80N08V1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 312 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0113 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de SWHA80N08V1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SWHA80N08V1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:825K  samwin
 swha80n08v1.pdf pdf_icon

SWHA80N08V1

SW80N08V1 N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features BVDSS : 80V DFN5*6 High ruggedness ID : 11A Low RDS(ON) (Typ 9.9m)@VGS=4.5V 1 8 (Typ 8.9m)@VGS=10V RDS(ON) : 9.9m @VGS=4.5V 2 7 Low Gate Charge (Typ 79nC) 6 3 5 8.9m @VGS=10V 4 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested Application:Synchronous Rectification,

 6.1. Size:718K  samwin
 swha80n06v1.pdf pdf_icon

SWHA80N08V1

SW80N06V1 N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features DFN5*6 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 14A Low RDS(ON) (Typ 6.6m)@VGS=4.5V 1 8 (Typ 5.4m)@VGS=10V 2 7 RDS(ON) : 6.6m@VGS=4.5V 6 3 Low Gate Charge (Typ 94nC) 5 4 5.4m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested Application: Synchronous Rectification, D

Otros transistores... SWHA13N65K2 , SWHA15N04V , SWHA35N10V , SWHA40N06V , SWHA50P03 , SWHA60N04V , SWHA7N65M , SWHA80N06V1 , IRF9640 , SWHC13N65K2 , SWI051R08ES , SWI055R03VT , SWI069R06VT , SWI075R06ET , SWI085R06VS , SWI100R10VT , SWI110R06VT .

History: SML501R1BN | SI5435BDC | SFB077N150C2 | NCE0202ZA | UTL1426 | IRLIZ14GPBF | VS3640DB

 

 
Back to Top

 


 
.