SWHA80N08V1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWHA80N08V1
Código: SW80N08V1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 79 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 312 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0113 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWHA80N08V1
SWHA80N08V1 Datasheet (PDF)
swha80n08v1.pdf
SW80N08V1 N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features BVDSS : 80V DFN5*6 High ruggedness ID : 11A Low RDS(ON) (Typ 9.9m)@VGS=4.5V 1 8 (Typ 8.9m)@VGS=10V RDS(ON) : 9.9m @VGS=4.5V 2 7 Low Gate Charge (Typ 79nC) 6 3 5 8.9m @VGS=10V 4 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested Application:Synchronous Rectification,
swha80n06v1.pdf
SW80N06V1 N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features DFN5*6 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 14A Low RDS(ON) (Typ 6.6m)@VGS=4.5V 1 8 (Typ 5.4m)@VGS=10V 2 7 RDS(ON) : 6.6m@VGS=4.5V 6 3 Low Gate Charge (Typ 94nC) 5 4 5.4m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested Application: Synchronous Rectification, D
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