Справочник MOSFET. SWHA80N08V1

 

SWHA80N08V1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWHA80N08V1
   Маркировка: SW80N08V1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 79 nC
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 312 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0113 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для SWHA80N08V1

 

 

SWHA80N08V1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:825K  samwin
 swha80n08v1.pdf

SWHA80N08V1 SWHA80N08V1

SW80N08V1 N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features BVDSS : 80V DFN5*6 High ruggedness ID : 11A Low RDS(ON) (Typ 9.9m)@VGS=4.5V 1 8 (Typ 8.9m)@VGS=10V RDS(ON) : 9.9m @VGS=4.5V 2 7 Low Gate Charge (Typ 79nC) 6 3 5 8.9m @VGS=10V 4 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested Application:Synchronous Rectification,

 6.1. Size:718K  samwin
 swha80n06v1.pdf

SWHA80N08V1 SWHA80N08V1

SW80N06V1 N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features DFN5*6 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 14A Low RDS(ON) (Typ 6.6m)@VGS=4.5V 1 8 (Typ 5.4m)@VGS=10V 2 7 RDS(ON) : 6.6m@VGS=4.5V 6 3 Low Gate Charge (Typ 94nC) 5 4 5.4m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested Application: Synchronous Rectification, D

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top