Справочник MOSFET. SWHA80N08V1

 

SWHA80N08V1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWHA80N08V1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 312 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0113 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для SWHA80N08V1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWHA80N08V1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:825K  samwin
 swha80n08v1.pdf pdf_icon

SWHA80N08V1

SW80N08V1 N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features BVDSS : 80V DFN5*6 High ruggedness ID : 11A Low RDS(ON) (Typ 9.9m)@VGS=4.5V 1 8 (Typ 8.9m)@VGS=10V RDS(ON) : 9.9m @VGS=4.5V 2 7 Low Gate Charge (Typ 79nC) 6 3 5 8.9m @VGS=10V 4 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested Application:Synchronous Rectification,

 6.1. Size:718K  samwin
 swha80n06v1.pdf pdf_icon

SWHA80N08V1

SW80N06V1 N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features DFN5*6 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 14A Low RDS(ON) (Typ 6.6m)@VGS=4.5V 1 8 (Typ 5.4m)@VGS=10V 2 7 RDS(ON) : 6.6m@VGS=4.5V 6 3 Low Gate Charge (Typ 94nC) 5 4 5.4m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested Application: Synchronous Rectification, D

Другие MOSFET... SWHA13N65K2 , SWHA15N04V , SWHA35N10V , SWHA40N06V , SWHA50P03 , SWHA60N04V , SWHA7N65M , SWHA80N06V1 , IRF9640 , SWHC13N65K2 , SWI051R08ES , SWI055R03VT , SWI069R06VT , SWI075R06ET , SWI085R06VS , SWI100R10VT , SWI110R06VT .

History: SUN0760I2 | STFU15N80K5 | IPI65R380C6 | IRL8113LPBF | SW226N | APT106N60B2C6

 

 
Back to Top

 


 
.