SWI075R06ET Todos los transistores

 

SWI075R06ET MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWI075R06ET
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 102 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 333 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0094 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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SWI075R06ET Datasheet (PDF)

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 swi075r06et swd075r06et.pdf pdf_icon

SWI075R06ET

SW075R06ETN-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFETFeaturesTO-251 TO-252BVDSS : 60V High ruggednessID : 65A Low RDS(ON) (Typ 7.5m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 78nC)RDS(ON) : 7.5m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested211 Application:Synchronous Rectification, 2233Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2. Drai

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