SWI075R06ET MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWI075R06ET
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 102 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 65 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tiempo de subida (tr): 54 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 333 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0094 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

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SWI075R06ET Datasheet (PDF)

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swi075r06et swd075r06et.pdf

SW075R06ETN-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFETFeaturesTO-251 TO-252BVDSS : 60V High ruggednessID : 65A Low RDS(ON) (Typ 7.5m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 78nC)RDS(ON) : 7.5m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested211 Application:Synchronous Rectification, 2233Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2. Drai

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Liste

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