Справочник MOSFET. SWI075R06ET

 

SWI075R06ET Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWI075R06ET
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 102 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 333 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SWI075R06ET

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI075R06ET Datasheet (PDF)

 ..1. Size:657K  samwin
 swi075r06et swd075r06et.pdf pdf_icon

SWI075R06ET

SW075R06ETN-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFETFeaturesTO-251 TO-252BVDSS : 60V High ruggednessID : 65A Low RDS(ON) (Typ 7.5m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 78nC)RDS(ON) : 7.5m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested211 Application:Synchronous Rectification, 2233Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2. Drai

Другие MOSFET... SWHA60N04V , SWHA7N65M , SWHA80N06V1 , SWHA80N08V1 , SWHC13N65K2 , SWI051R08ES , SWI055R03VT , SWI069R06VT , AO3407 , SWI085R06VS , SWI100R10VT , SWI110R06VT , SWI120R45VT , SWI130R06VT , SWI13N60K2 , SWI13N65K2 , SWI160R12VT .

History: NTMS5P02R2SG | SI4831DY | AM10N30-600I

 

 
Back to Top

 


 
.