SWI075R06ET. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWI075R06ET

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 102 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 333 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWI075R06ET

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI075R06ET даташит

 ..1. Size:657K  samwin
 swi075r06et swd075r06et.pdf pdf_icon

SWI075R06ET

SW075R06ET N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS 60V High ruggedness ID 65A Low RDS(ON) (Typ 7.5m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 78nC) RDS(ON) 7.5m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Inverter 1 1. Gate 2. Drai

Другие IGBT... SWHA60N04V, SWHA7N65M, SWHA80N06V1, SWHA80N08V1, SWHC13N65K2, SWI051R08ES, SWI055R03VT, SWI069R06VT, AO4407A, SWI085R06VS, SWI100R10VT, SWI110R06VT, SWI120R45VT, SWI130R06VT, SWI13N60K2, SWI13N65K2, SWI160R12VT