SWI110R06VT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWI110R06VT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 218 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: TO251

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SWI110R06VT datasheet

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SWI110R06VT

SW110R06VT N-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET Features TO-251 BVDSS 60V High ruggedness ID 75A Low RDS(ON) (Typ 11m )@VGS=4.5V (Typ 10m )@VGS=10V RDS(ON) 11m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 69nC) 10m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 Application Electronic Ballast, Motor Control, Synchronous Rectification

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