SWI110R06VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWI110R06VT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 96 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tiempo de subida (tr): 34 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 218 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWI110R06VT

SWI110R06VT Datasheet (PDF)

..1. Size:609K samwin
swi110r06vt.pdf

SW110R06VTN-channel Enhanced mode TO-251 MOSFETFeaturesTO-251 BVDSS : 60V High ruggednessID : 75A Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5V(Typ 10m)@VGS=10VRDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 69nC)10m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 223 Application: Electronic Ballast, Motor Control, Synchronous Rectification

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: TPD70R950C | HUF76121SK8

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: