SWI110R06VT Todos los transistores

 

SWI110R06VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWI110R06VT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 218 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

SWI110R06VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:609K  samwin
 swi110r06vt.pdf pdf_icon

SWI110R06VT

SW110R06VTN-channel Enhanced mode TO-251 MOSFETFeaturesTO-251 BVDSS : 60V High ruggednessID : 75A Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5V(Typ 10m)@VGS=10VRDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 69nC)10m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 223 Application: Electronic Ballast, Motor Control, Synchronous Rectification

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IPB65R600C6 | ZXMP7A17GQ | SMG5409 | H15N10D | FQD17P06TM | PHB119NQ06T | IRF7700

 

 
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