SWI110R06VT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWI110R06VT
Маркировка: SW110R06VT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 96 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 75 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 69 nC
Время нарастания (tr): 34 ns
Выходная емкость (Cd): 218 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для SWI110R06VT
SWI110R06VT Datasheet (PDF)
swi110r06vt.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SW110R06VTN-channel Enhanced mode TO-251 MOSFETFeaturesTO-251 BVDSS : 60V High ruggednessID : 75A Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5V(Typ 10m)@VGS=10VRDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 69nC)10m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 223 Application: Electronic Ballast, Motor Control, Synchronous Rectification
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .