Справочник MOSFET. SWI110R06VT

 

SWI110R06VT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWI110R06VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SWI110R06VT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI110R06VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:609K  samwin
 swi110r06vt.pdf pdf_icon

SWI110R06VT

SW110R06VTN-channel Enhanced mode TO-251 MOSFETFeaturesTO-251 BVDSS : 60V High ruggednessID : 75A Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5V(Typ 10m)@VGS=10VRDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 69nC)10m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 223 Application: Electronic Ballast, Motor Control, Synchronous Rectification

Другие MOSFET... SWHA80N08V1 , SWHC13N65K2 , SWI051R08ES , SWI055R03VT , SWI069R06VT , SWI075R06ET , SWI085R06VS , SWI100R10VT , IRFP064N , SWI120R45VT , SWI130R06VT , SWI13N60K2 , SWI13N65K2 , SWI160R12VT , SWI19N10 , SWI1N55D , SWI1N60 .

History: SJMN190R65B | IRFF9233 | SI4N60L-TA3-T | SK860317 | IRL520NSPBF | HCCZ120R080H1 | PS60N60

 

 
Back to Top

 


 
.