SWI110R06VT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWI110R06VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWI110R06VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI110R06VT даташит

 ..1. Size:609K  samwin
 swi110r06vt.pdf pdf_icon

SWI110R06VT

SW110R06VT N-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET Features TO-251 BVDSS 60V High ruggedness ID 75A Low RDS(ON) (Typ 11m )@VGS=4.5V (Typ 10m )@VGS=10V RDS(ON) 11m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 69nC) 10m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 Application Electronic Ballast, Motor Control, Synchronous Rectification

Другие IGBT... SWHA80N08V1, SWHC13N65K2, SWI051R08ES, SWI055R03VT, SWI069R06VT, SWI075R06ET, SWI085R06VS, SWI100R10VT, AO4468, SWI120R45VT, SWI130R06VT, SWI13N60K2, SWI13N65K2, SWI160R12VT, SWI19N10, SWI1N55D, SWI1N60