SWI1N55D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWI1N55D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 550 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm

Encapsulados: TO251

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SWI1N55D datasheet

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SWI1N55D

SW1N55D N-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET Features BVDSS 550V TO-251 ID 1A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.5 )@VGS=10V RDS(ON) 4.5 Low Gate Charge (Typ 7nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application Charger, Adaptor,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET

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SWI1N55D

SW1N60D N-channel Enhanced TO-251/TO-92/TO251S MOSFET Features BVDSS 600V TO-251 TO-92 TO-251S ID 1A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 6.6 )@VGS=10V RDS(ON) 6.6 Low Gate Charge (Typ 6.8nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 3 3 Application Charger, Adaptor, LED 1. Gate 2. Drain 3. Source 1

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