SWI1N55D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWI1N55D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWI1N55D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI1N55D даташит

 ..1. Size:643K  samwin
 swi1n55d.pdf pdf_icon

SWI1N55D

SW1N55D N-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET Features BVDSS 550V TO-251 ID 1A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.5 )@VGS=10V RDS(ON) 4.5 Low Gate Charge (Typ 7nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application Charger, Adaptor,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET

 9.1. Size:1087K  samwin
 swi1n60 swc1n60.pdf pdf_icon

SWI1N55D

SW1N60D N-channel Enhanced TO-251/TO-92/TO251S MOSFET Features BVDSS 600V TO-251 TO-92 TO-251S ID 1A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 6.6 )@VGS=10V RDS(ON) 6.6 Low Gate Charge (Typ 6.8nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 3 3 Application Charger, Adaptor, LED 1. Gate 2. Drain 3. Source 1

Другие IGBT... SWI100R10VT, SWI110R06VT, SWI120R45VT, SWI130R06VT, SWI13N60K2, SWI13N65K2, SWI160R12VT, SWI19N10, IRF540N, SWI1N60, SWI200R10VT, SWI20N20D, SWI230R45VT, SWI2N60DC, SWI4N60D, SWI4N60K, SWI4N65DB