Справочник MOSFET. SWI1N55D

 

SWI1N55D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWI1N55D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SWI1N55D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI1N55D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:643K  samwin
 swi1n55d.pdf pdf_icon

SWI1N55D

SW1N55D N-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET Features BVDSS : 550V TO-251 ID : 1A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.5)@VGS=10V RDS(ON) : 4.5 Low Gate Charge (Typ 7nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application:Charger, Adaptor,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET

 9.1. Size:1087K  samwin
 swi1n60 swc1n60.pdf pdf_icon

SWI1N55D

SW1N60D N-channel Enhanced TO-251/TO-92/TO251S MOSFET Features BVDSS : 600V TO-251 TO-92 TO-251S ID : 1A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 6.6)@VGS=10V RDS(ON) : 6.6 Low Gate Charge (Typ 6.8nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 3 3 Application:Charger, Adaptor, LED 1. Gate 2. Drain 3. Source 1

Другие MOSFET... SWI100R10VT , SWI110R06VT , SWI120R45VT , SWI130R06VT , SWI13N60K2 , SWI13N65K2 , SWI160R12VT , SWI19N10 , IRF540 , SWI1N60 , SWI200R10VT , SWI20N20D , SWI230R45VT , SWI2N60DC , SWI4N60D , SWI4N60K , SWI4N65DB .

History: SI6968BEDQ | CES2317 | PJM2300NSA | SMG2370N

 

 
Back to Top

 


 
.