Справочник MOSFET. SWI1N55D

 

SWI1N55D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWI1N55D
   Маркировка: SW1N55D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для SWI1N55D

 

 

SWI1N55D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:643K  samwin
 swi1n55d.pdf

SWI1N55D SWI1N55D

SW1N55D N-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET Features BVDSS : 550V TO-251 ID : 1A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.5)@VGS=10V RDS(ON) : 4.5 Low Gate Charge (Typ 7nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application:Charger, Adaptor,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET

 9.1. Size:1087K  samwin
 swi1n60 swc1n60.pdf

SWI1N55D SWI1N55D

SW1N60D N-channel Enhanced TO-251/TO-92/TO251S MOSFET Features BVDSS : 600V TO-251 TO-92 TO-251S ID : 1A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 6.6)@VGS=10V RDS(ON) : 6.6 Low Gate Charge (Typ 6.8nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 3 3 Application:Charger, Adaptor, LED 1. Gate 2. Drain 3. Source 1

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top