SWI2N60DC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWI2N60DC
Código: SW2N60DC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 78 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 9.5 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
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SWI2N60DC Datasheet (PDF)
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SW2N60DC N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251 MOSFET BVDSS :600V Features TO-252 TO-251 ID : 2A High ruggedness RDS(ON) : 3.9 Low RDS(ON) (Typ 3.9)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ9.5nC) Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 2 Application:Charger,Adaptor,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Descripti
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