Справочник MOSFET. SWI2N60DC

 

SWI2N60DC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWI2N60DC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI2N60DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:576K  samwin
 swd2n60dc swi2n60dc.pdf pdf_icon

SWI2N60DC

SW2N60DC N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251 MOSFET BVDSS :600V Features TO-252 TO-251 ID : 2A High ruggedness RDS(ON) : 3.9 Low RDS(ON) (Typ 3.9)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ9.5nC) Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 2 Application:Charger,Adaptor,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Descripti

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.