SWI2N60DC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWI2N60DC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWI2N60DC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI2N60DC даташит

 ..1. Size:576K  samwin
 swd2n60dc swi2n60dc.pdf pdf_icon

SWI2N60DC

SW2N60DC N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251 MOSFET BVDSS 600V Features TO-252 TO-251 ID 2A High ruggedness RDS(ON) 3.9 Low RDS(ON) (Typ 3.9 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ9.5nC) Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 2 Application Charger,Adaptor,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Descripti

Другие IGBT... SWI13N65K2, SWI160R12VT, SWI19N10, SWI1N55D, SWI1N60, SWI200R10VT, SWI20N20D, SWI230R45VT, IRF640, SWI4N60D, SWI4N60K, SWI4N65DB, SWI4N65DC, SWI4N65K, SWI4N70K, SWI50P03, SWI5N30D