SWI50P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWI50P03
   Código: SW50P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 83 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 85 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.9 V
   Carga de la puerta (Qg): 69 nC
   Tiempo de subida (tr): 49 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 506 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

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SWI50P03 Datasheet (PDF)

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swi50p03.pdf

SW50P03 P-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET Features BVDSS : -30V TO-251 High ruggedness ID : -85A Low RDS(ON) (Typ 12m)@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.5m)@VGS=-10V RDS(ON) : 12m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 69nC) 8.5m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 2 Application: Adaptor Input Switch 3

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Liste

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