SWI50P03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWI50P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 506 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: TO251

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SWI50P03 datasheet

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SWI50P03

SW50P03 P-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET Features BVDSS -30V TO-251 High ruggedness ID -85A Low RDS(ON) (Typ 12m )@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.5m )@VGS=-10V RDS(ON) 12m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 69nC) 8.5m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 2 Application Adaptor Input Switch 3

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