SWI50P03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWI50P03
Маркировка: SW50P03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.9 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 69 nC
trⓘ - Время нарастания: 49 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 506 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: TO251
SWI50P03 Datasheet (PDF)
swi50p03.pdf
SW50P03 P-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET Features BVDSS : -30V TO-251 High ruggedness ID : -85A Low RDS(ON) (Typ 12m)@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.5m)@VGS=-10V RDS(ON) : 12m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 69nC) 8.5m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 2 Application: Adaptor Input Switch 3
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918