Справочник MOSFET. SWI50P03

 

SWI50P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWI50P03
   Маркировка: SW50P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.9 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 69 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 506 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SWI50P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI50P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:699K  samwin
 swi50p03.pdf pdf_icon

SWI50P03

SW50P03 P-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET Features BVDSS : -30V TO-251 High ruggedness ID : -85A Low RDS(ON) (Typ 12m)@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.5m)@VGS=-10V RDS(ON) : 12m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 69nC) 8.5m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 2 Application: Adaptor Input Switch 3

Другие MOSFET... SWI230R45VT , SWI2N60DC , SWI4N60D , SWI4N60K , SWI4N65DB , SWI4N65DC , SWI4N65K , SWI4N70K , AON6414A , SWI5N30D , SWI6N65K , SWI70N10V , SWI7N60K , SWI7N65K , SWI7N65K2 , SWI7N70K , SWI80N04V .

History: IRFS4229 | 2SJ360 | IPD25CN10N

 

 
Back to Top

 


 
.