SWI50P03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWI50P03
Маркировка: SW50P03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 85 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 69 nC
Время нарастания (tr): 49 ns
Выходная емкость (Cd): 506 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.011 Ohm
Тип корпуса: TO251
SWI50P03 Datasheet (PDF)
..1. Size:699K samwin
swi50p03.pdf
swi50p03.pdf
SW50P03 P-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET Features BVDSS : -30V TO-251 High ruggedness ID : -85A Low RDS(ON) (Typ 12m)@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.5m)@VGS=-10V RDS(ON) : 12m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 69nC) 8.5m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 2 Application: Adaptor Input Switch 3
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
