SWI50P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWI50P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 506 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWI50P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI50P03 даташит

 ..1. Size:699K  samwin
 swi50p03.pdf pdf_icon

SWI50P03

SW50P03 P-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET Features BVDSS -30V TO-251 High ruggedness ID -85A Low RDS(ON) (Typ 12m )@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.5m )@VGS=-10V RDS(ON) 12m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 69nC) 8.5m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 2 Application Adaptor Input Switch 3

Другие IGBT... SWI230R45VT, SWI2N60DC, SWI4N60D, SWI4N60K, SWI4N65DB, SWI4N65DC, SWI4N65K, SWI4N70K, IRFB4227, SWI5N30D, SWI6N65K, SWI70N10V, SWI7N60K, SWI7N65K, SWI7N65K2, SWI7N70K, SWI80N04V