SWJ4N80D Todos los transistores

 

SWJ4N80D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWJ4N80D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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SWJ4N80D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1046K  samwin
 swf4n80d swn4n80d swd4n80d swj4n80d.pdf pdf_icon

SWJ4N80D

SW4N80DN-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252/TO-262N MOSFETFeaturesTO-220F TO-251N TO-252 TO-262NBVDSS : 800V High ruggednessID : 4A Low RDS(ON) (Typ 3.2)@VGS=10VRDS(ON) : 3.2 Low Gate Charge (Typ 19nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 21 11 12 2 Application:Adaptor, LED, 2 23 33 3Industrial Power11. Gate 2

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History: BLP023N10-T | CEP01N65 | EV3404 | HMS18N80F | SIHFI840G | AP20N15AGH | DCCF020M65G2

 

 
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