SWJ4N80D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWJ4N80D
   Código: SW4N80D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

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SWJ4N80D Datasheet (PDF)

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swf4n80d swn4n80d swd4n80d swj4n80d.pdf

SW4N80DN-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252/TO-262N MOSFETFeaturesTO-220F TO-251N TO-252 TO-262NBVDSS : 800V High ruggednessID : 4A Low RDS(ON) (Typ 3.2)@VGS=10VRDS(ON) : 3.2 Low Gate Charge (Typ 19nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 21 11 12 2 Application:Adaptor, LED, 2 23 33 3Industrial Power11. Gate 2

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Liste

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