SWJ4N80D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWJ4N80D
Маркировка: SW4N80D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
trⓘ - Время нарастания: 29 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm
Тип корпуса: TO262
SWJ4N80D Datasheet (PDF)
swf4n80d swn4n80d swd4n80d swj4n80d.pdf
SW4N80DN-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252/TO-262N MOSFETFeaturesTO-220F TO-251N TO-252 TO-262NBVDSS : 800V High ruggednessID : 4A Low RDS(ON) (Typ 3.2)@VGS=10VRDS(ON) : 3.2 Low Gate Charge (Typ 19nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 21 11 12 2 Application:Adaptor, LED, 2 23 33 3Industrial Power11. Gate 2
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100