SWK028P04VT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWK028P04VT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.24 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 323 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: SOP8

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SWK028P04VT datasheet

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SWK028P04VT

SW028P04VT P-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFET Features SOP-8 BVDSS -40V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 27m )@VGS=-4.5V ID -7.5A 5 6 (Typ 21m )@VGS=-10V 7 RDS(ON) 27m @VGS=-4.5V 8 Low Gate Charge (Typ 60nC) 4 Improved dv/dt Capability 21m @VGS=-10V 3 100% Avalanche Tested 2 1 Application DC-DC Converter, D Motor Control 4. Gate 5

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SWK028P04VT

SW028P04 P-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFET Features SOP-8 BVDSS -40V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 23m )@VGS=-4.5V D ID -7.5A D (Typ 19m )@VGS=-10V D RDS(ON) 23m @VGS=-4.5V D G Low Gate Charge (Typ 48nC) S S Improved dv/dt Capability 19m @VGS=-10V S 100% Avalanche Tested G(4) D(5,6,7,8) S(1,2,3) Application

Otros transistores... SWJ20N65K, SWJ4N80D, SWJ5N70K, SWJ6N90D, SWJ7N65DA, SWJ7N70K, SWJ8N90KU, SWK028P04, SKD502T, SWK083R06VLS, SWK083R06VS, SWK083R06VSM, SWK110R03VT, SWK110R06VT, SWK120R45VT, SWK130R06VT, SWK15N04V