SWK028P04VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWK028P04VT
   Código: SW028P04VT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.24 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 323 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWK028P04VT

SWK028P04VT Datasheet (PDF)

..1. Size:772K samwin
swk028p04vt.pdf

SW028P04VTP-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFETFeaturesSOP-8 BVDSS : -40V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 27m)@VGS=-4.5V ID : -7.5A56(Typ 21m)@VGS=-10V7RDS(ON) : 27m @VGS=-4.5V8 Low Gate Charge (Typ 60nC)4 Improved dv/dt Capability 21m @VGS=-10V3 100% Avalanche Tested 21 Application: DC-DC Converter, DMotor Control4. Gate 5

5.1. Size:743K samwin
swk028p04.pdf

SW028P04 P-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFET Features SOP-8 BVDSS : -40V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 23m)@VGS=-4.5V D ID : -7.5A D (Typ 19m)@VGS=-10V D RDS(ON) : 23m @VGS=-4.5V D G Low Gate Charge (Typ 48nC) S S Improved dv/dt Capability 19m @VGS=-10V S 100% Avalanche Tested G(4) D(5,6,7,8) S(1,2,3) Application:

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Liste

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