SWK028P04VT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWK028P04VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.24 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SWK028P04VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWK028P04VT даташит

 ..1. Size:772K  samwin
 swk028p04vt.pdf pdf_icon

SWK028P04VT

SW028P04VT P-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFET Features SOP-8 BVDSS -40V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 27m )@VGS=-4.5V ID -7.5A 5 6 (Typ 21m )@VGS=-10V 7 RDS(ON) 27m @VGS=-4.5V 8 Low Gate Charge (Typ 60nC) 4 Improved dv/dt Capability 21m @VGS=-10V 3 100% Avalanche Tested 2 1 Application DC-DC Converter, D Motor Control 4. Gate 5

 5.1. Size:743K  samwin
 swk028p04.pdf pdf_icon

SWK028P04VT

SW028P04 P-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFET Features SOP-8 BVDSS -40V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 23m )@VGS=-4.5V D ID -7.5A D (Typ 19m )@VGS=-10V D RDS(ON) 23m @VGS=-4.5V D G Low Gate Charge (Typ 48nC) S S Improved dv/dt Capability 19m @VGS=-10V S 100% Avalanche Tested G(4) D(5,6,7,8) S(1,2,3) Application

Другие IGBT... SWJ20N65K, SWJ4N80D, SWJ5N70K, SWJ6N90D, SWJ7N65DA, SWJ7N70K, SWJ8N90KU, SWK028P04, SKD502T, SWK083R06VLS, SWK083R06VS, SWK083R06VSM, SWK110R03VT, SWK110R06VT, SWK120R45VT, SWK130R06VT, SWK15N04V