SWK110R06VT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWK110R06VT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 218 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: SOP8

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SWK110R06VT datasheet

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SWK110R06VT

SW110R06VT N-channel Enhanced mode SOP8/DFN5*6 MOSFET Features SOP8 DFN5*6 BVDSS 60V High ruggedness ID 11A 1 8 5 Low RDS(ON) (Typ 11m )@VGS=4.5V 6 2 7 (Typ 10m )@VGS=10V 7 6 RDS(ON) 11m @VGS=4.5V 3 8 4 5 Low Gate Charge (Typ 69nC) 4 10m @VGS=10V 3 Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 D Application Electronic Ballast,

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SWK110R06VT

SW110R03VT N-channel Enhanced mode SOP8 MOSFET Features BVDSS 30V SOP8 High ruggedness 5 ID 11A 6 Low RDS(ON) (Typ 9.8m )@VGS=4.5V 7 8 RDS(ON) 9.8m @VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.3m )@VGS=10V 4 Low Gate Charge (Typ 24nC) 3 8.3m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested D Application DC-DC

Otros transistores... SWJ7N70K, SWJ8N90KU, SWK028P04, SWK028P04VT, SWK083R06VLS, SWK083R06VS, SWK083R06VSM, SWK110R03VT, 5N65, SWK120R45VT, SWK130R06VT, SWK15N04V, SWK15N06V, SWK200R10VT, SWK230R45VT, SWK30N04V, SWL2N70D