SWK110R06VT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWK110R06VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SWK110R06VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWK110R06VT даташит

 ..1. Size:810K  samwin
 swk110r06vt swha110r06vt.pdf pdf_icon

SWK110R06VT

SW110R06VT N-channel Enhanced mode SOP8/DFN5*6 MOSFET Features SOP8 DFN5*6 BVDSS 60V High ruggedness ID 11A 1 8 5 Low RDS(ON) (Typ 11m )@VGS=4.5V 6 2 7 (Typ 10m )@VGS=10V 7 6 RDS(ON) 11m @VGS=4.5V 3 8 4 5 Low Gate Charge (Typ 69nC) 4 10m @VGS=10V 3 Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 D Application Electronic Ballast,

 6.1. Size:683K  samwin
 swk110r03vt.pdf pdf_icon

SWK110R06VT

SW110R03VT N-channel Enhanced mode SOP8 MOSFET Features BVDSS 30V SOP8 High ruggedness 5 ID 11A 6 Low RDS(ON) (Typ 9.8m )@VGS=4.5V 7 8 RDS(ON) 9.8m @VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.3m )@VGS=10V 4 Low Gate Charge (Typ 24nC) 3 8.3m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested D Application DC-DC

Другие IGBT... SWJ7N70K, SWJ8N90KU, SWK028P04, SWK028P04VT, SWK083R06VLS, SWK083R06VS, SWK083R06VSM, SWK110R03VT, 5N65, SWK120R45VT, SWK130R06VT, SWK15N04V, SWK15N06V, SWK200R10VT, SWK230R45VT, SWK30N04V, SWL2N70D