Справочник MOSFET. SWK110R06VT

 

SWK110R06VT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWK110R06VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SWK110R06VT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWK110R06VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:810K  samwin
 swk110r06vt swha110r06vt.pdf pdf_icon

SWK110R06VT

SW110R06VTN-channel Enhanced mode SOP8/DFN5*6 MOSFETFeaturesSOP8 DFN5*6 BVDSS : 60V High ruggednessID : 11A1 85 Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5V6 2 7(Typ 10m)@VGS=10V 76 RDS(ON) : 11m@VGS=4.5V384 5 Low Gate Charge (Typ 69nC)410m@VGS=10V3 Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1D Application: Electronic Ballast,

 6.1. Size:683K  samwin
 swk110r03vt.pdf pdf_icon

SWK110R06VT

SW110R03VT N-channel Enhanced mode SOP8 MOSFET Features BVDSS : 30V SOP8 High ruggedness 5 ID : 11A 6 Low RDS(ON) (Typ 9.8m)@VGS=4.5V 7 8 RDS(ON) : 9.8m@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.3m)@VGS=10V 4 Low Gate Charge (Typ 24nC) 3 8.3m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested D Application:DC-DC

Другие MOSFET... SWJ7N70K , SWJ8N90KU , SWK028P04 , SWK028P04VT , SWK083R06VLS , SWK083R06VS , SWK083R06VSM , SWK110R03VT , 4435 , SWK120R45VT , SWK130R06VT , SWK15N04V , SWK15N06V , SWK200R10VT , SWK230R45VT , SWK30N04V , SWL2N70D .

History: FTK6014A | SSM6P15FU | STW75N60M6 | IXTK120N25P | SWN7N65K2 | HGP059N08A | STD100N03LT4

 

 
Back to Top

 


 
.