SWK110R06VT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWK110R06VT
Маркировка: SW110R06VT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 69 nC
trⓘ - Время нарастания: 34 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для SWK110R06VT
SWK110R06VT Datasheet (PDF)
swk110r06vt swha110r06vt.pdf
SW110R06VTN-channel Enhanced mode SOP8/DFN5*6 MOSFETFeaturesSOP8 DFN5*6 BVDSS : 60V High ruggednessID : 11A1 85 Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5V6 2 7(Typ 10m)@VGS=10V 76 RDS(ON) : 11m@VGS=4.5V384 5 Low Gate Charge (Typ 69nC)410m@VGS=10V3 Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1D Application: Electronic Ballast,
swk110r03vt.pdf
SW110R03VT N-channel Enhanced mode SOP8 MOSFET Features BVDSS : 30V SOP8 High ruggedness 5 ID : 11A 6 Low RDS(ON) (Typ 9.8m)@VGS=4.5V 7 8 RDS(ON) : 9.8m@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.3m)@VGS=10V 4 Low Gate Charge (Typ 24nC) 3 8.3m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested D Application:DC-DC
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918