SWK130R06VT Todos los transistores

 

SWK130R06VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWK130R06VT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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SWK130R06VT Datasheet (PDF)

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 swk130r06vt swha130r06vt swi130r06vt.pdf pdf_icon

SWK130R06VT

SW130R06VT N-channel Enhanced mode SOP-8/DFN5*6/TO-251 MOSFET Features High ruggedness SOP-8 DFN5*6 TO-251 BVDSS : 60V Low RDS(ON) (Typ 14m)@VGS=4.5V (Typ 12m)@VGS=10V 5 ID : 58A 6 Low Gate Charge (Typ 55nC) 1 8 7 8 2 7 Improved dv/dt Capability RDS(ON) : 14m@ VGS=4.5V 4 6 3 3 100% Avalanche Tested 4 5 2 12m@ VGS=1

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History: AT12N65S | AON2701 | DMC4047LSD | UPA2462T1Q | IXTH76P10T | IXTR68P20T | 2SK3273-01MR

 

 
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