Справочник MOSFET. SWK130R06VT

 

SWK130R06VT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWK130R06VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWK130R06VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:993K  samwin
 swk130r06vt swha130r06vt swi130r06vt.pdf pdf_icon

SWK130R06VT

SW130R06VT N-channel Enhanced mode SOP-8/DFN5*6/TO-251 MOSFET Features High ruggedness SOP-8 DFN5*6 TO-251 BVDSS : 60V Low RDS(ON) (Typ 14m)@VGS=4.5V (Typ 12m)@VGS=10V 5 ID : 58A 6 Low Gate Charge (Typ 55nC) 1 8 7 8 2 7 Improved dv/dt Capability RDS(ON) : 14m@ VGS=4.5V 4 6 3 3 100% Avalanche Tested 4 5 2 12m@ VGS=1

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.