SWK130R06VT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWK130R06VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SWK130R06VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWK130R06VT даташит

 ..1. Size:993K  samwin
 swk130r06vt swha130r06vt swi130r06vt.pdf pdf_icon

SWK130R06VT

SW130R06VT N-channel Enhanced mode SOP-8/DFN5*6/TO-251 MOSFET Features High ruggedness SOP-8 DFN5*6 TO-251 BVDSS 60V Low RDS(ON) (Typ 14m )@VGS=4.5V (Typ 12m )@VGS=10V 5 ID 58A 6 Low Gate Charge (Typ 55nC) 1 8 7 8 2 7 Improved dv/dt Capability RDS(ON) 14m @ VGS=4.5V 4 6 3 3 100% Avalanche Tested 4 5 2 12m @ VGS=1

Другие IGBT... SWK028P04, SWK028P04VT, SWK083R06VLS, SWK083R06VS, SWK083R06VSM, SWK110R03VT, SWK110R06VT, SWK120R45VT, IRFB3607, SWK15N04V, SWK15N06V, SWK200R10VT, SWK230R45VT, SWK30N04V, SWL2N70D, SWMI4N60D, SWMN10N65D