SWK130R06VT - аналоги и даташиты транзистора

 

SWK130R06VT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SWK130R06VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SWK130R06VT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWK130R06VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:993K  samwin
 swk130r06vt swha130r06vt swi130r06vt.pdf pdf_icon

SWK130R06VT

SW130R06VT N-channel Enhanced mode SOP-8/DFN5*6/TO-251 MOSFET Features High ruggedness SOP-8 DFN5*6 TO-251 BVDSS : 60V Low RDS(ON) (Typ 14m)@VGS=4.5V (Typ 12m)@VGS=10V 5 ID : 58A 6 Low Gate Charge (Typ 55nC) 1 8 7 8 2 7 Improved dv/dt Capability RDS(ON) : 14m@ VGS=4.5V 4 6 3 3 100% Avalanche Tested 4 5 2 12m@ VGS=1

Другие MOSFET... SWK028P04 , SWK028P04VT , SWK083R06VLS , SWK083R06VS , SWK083R06VSM , SWK110R03VT , SWK110R06VT , SWK120R45VT , IRFB3607 , SWK15N04V , SWK15N06V , SWK200R10VT , SWK230R45VT , SWK30N04V , SWL2N70D , SWMI4N60D , SWMN10N65D .

History: OSG60R180HF | OSG60R190DT3ZF

 

 
Back to Top

 


 
.