SWK200R10VT Todos los transistores

 

SWK200R10VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWK200R10VT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de SWK200R10VT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SWK200R10VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:729K  samwin
 swk200r10vt.pdf pdf_icon

SWK200R10VT

SW200R10VT N-channel Enhanced mode SOP8 MOSFET Features SOP8 BVDSS : 100V High ruggedness 5 ID : 7A 6 Low RDS(ON) (Typ 20.6m)@VGS=4.5V 7 RDS(ON) : 20.6m@VGS=4.5V (Typ 20m)@VGS=10V 8 4 Low Gate Charge (Typ 89nC) 3 20m@VGS=10V 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested D Application: Synchronous Rectificat

Otros transistores... SWK083R06VS , SWK083R06VSM , SWK110R03VT , SWK110R06VT , SWK120R45VT , SWK130R06VT , SWK15N04V , SWK15N06V , IRLB4132 , SWK230R45VT , SWK30N04V , SWL2N70D , SWMI4N60D , SWMN10N65D , SWMN10N65K , SWMN12N65D , SWMN12N65DA .

History: HSSN3139 | SLF8N60C | BRF8N80 | AON7462 | SFS130N06GF | AM8N25-550D | CJQ4459

 

 
Back to Top

 


 
.