SWK200R10VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWK200R10VT
Código: SW200R10VT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.9 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 89 nC
Tiempo de subida (tr): 31 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 165 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
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SWK200R10VT Datasheet (PDF)
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SW200R10VT N-channel Enhanced mode SOP8 MOSFET Features SOP8 BVDSS : 100V High ruggedness 5 ID : 7A 6 Low RDS(ON) (Typ 20.6m)@VGS=4.5V 7 RDS(ON) : 20.6m@VGS=4.5V (Typ 20m)@VGS=10V 8 4 Low Gate Charge (Typ 89nC) 3 20m@VGS=10V 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested D Application: Synchronous Rectificat
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
