SWK200R10VT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWK200R10VT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: SOP8

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SWK200R10VT datasheet

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SWK200R10VT

SW200R10VT N-channel Enhanced mode SOP8 MOSFET Features SOP8 BVDSS 100V High ruggedness 5 ID 7A 6 Low RDS(ON) (Typ 20.6m )@VGS=4.5V 7 RDS(ON) 20.6m @VGS=4.5V (Typ 20m )@VGS=10V 8 4 Low Gate Charge (Typ 89nC) 3 20m @VGS=10V 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested D Application Synchronous Rectificat

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