SWK200R10VT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWK200R10VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SWK200R10VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWK200R10VT даташит

 ..1. Size:729K  samwin
 swk200r10vt.pdf pdf_icon

SWK200R10VT

SW200R10VT N-channel Enhanced mode SOP8 MOSFET Features SOP8 BVDSS 100V High ruggedness 5 ID 7A 6 Low RDS(ON) (Typ 20.6m )@VGS=4.5V 7 RDS(ON) 20.6m @VGS=4.5V (Typ 20m )@VGS=10V 8 4 Low Gate Charge (Typ 89nC) 3 20m @VGS=10V 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested D Application Synchronous Rectificat

Другие IGBT... SWK083R06VS, SWK083R06VSM, SWK110R03VT, SWK110R06VT, SWK120R45VT, SWK130R06VT, SWK15N04V, SWK15N06V, CS150N03A8, SWK230R45VT, SWK30N04V, SWL2N70D, SWMI4N60D, SWMN10N65D, SWMN10N65K, SWMN12N65D, SWMN12N65DA