Справочник MOSFET. SWK200R10VT

 

SWK200R10VT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWK200R10VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SWK200R10VT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWK200R10VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:729K  samwin
 swk200r10vt.pdf pdf_icon

SWK200R10VT

SW200R10VT N-channel Enhanced mode SOP8 MOSFET Features SOP8 BVDSS : 100V High ruggedness 5 ID : 7A 6 Low RDS(ON) (Typ 20.6m)@VGS=4.5V 7 RDS(ON) : 20.6m@VGS=4.5V (Typ 20m)@VGS=10V 8 4 Low Gate Charge (Typ 89nC) 3 20m@VGS=10V 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested D Application: Synchronous Rectificat

Другие MOSFET... SWK083R06VS , SWK083R06VSM , SWK110R03VT , SWK110R06VT , SWK120R45VT , SWK130R06VT , SWK15N04V , SWK15N06V , IRLB4132 , SWK230R45VT , SWK30N04V , SWL2N70D , SWMI4N60D , SWMN10N65D , SWMN10N65K , SWMN12N65D , SWMN12N65DA .

History: CP650 | AM2373P | AM8N25-550D | VS3625GPMC | MDV1595SURH | VBA3695 | FQN1N50CTA

 

 
Back to Top

 


 
.