Справочник MOSFET. SWK200R10VT

 

SWK200R10VT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWK200R10VT
   Маркировка: SW200R10VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 89 nC
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для SWK200R10VT

 

 

SWK200R10VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:729K  samwin
 swk200r10vt.pdf

SWK200R10VT SWK200R10VT

SW200R10VT N-channel Enhanced mode SOP8 MOSFET Features SOP8 BVDSS : 100V High ruggedness 5 ID : 7A 6 Low RDS(ON) (Typ 20.6m)@VGS=4.5V 7 RDS(ON) : 20.6m@VGS=4.5V (Typ 20m)@VGS=10V 8 4 Low Gate Charge (Typ 89nC) 3 20m@VGS=10V 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested D Application: Synchronous Rectificat

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top