SWL2N70D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWL2N70D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.2 Ohm

Encapsulados: TO126

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SWL2N70D datasheet

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 swn2n70d swd2n70d swl2n70d swf2n70d.pdf pdf_icon

SWL2N70D

SW2N70D N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252/TO-126/TO-220F MOSFET Features BVDSS 700V TO-220F TO-251N TO-252 TO-126 ID 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5 )@VGS=10V RDS(ON) 5 Low Gate Charge (Typ 11nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application Charger,LED 3 3 3 3 1 1. Gate 2.

Otros transistores... SWK110R06VT, SWK120R45VT, SWK130R06VT, SWK15N04V, SWK15N06V, SWK200R10VT, SWK230R45VT, SWK30N04V, STP80NF70, SWMI4N60D, SWMN10N65D, SWMN10N65K, SWMN12N65D, SWMN12N65DA, SWMN15N50D, SWMN15N65J, SWMN4N65DD