Справочник MOSFET. SWL2N70D

 

SWL2N70D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWL2N70D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.2 Ohm
   Тип корпуса: TO126
 

 Аналог (замена) для SWL2N70D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWL2N70D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1061K  samwin
 swn2n70d swd2n70d swl2n70d swf2n70d.pdf pdf_icon

SWL2N70D

SW2N70D N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252/TO-126/TO-220F MOSFET Features BVDSS : 700V TO-220F TO-251N TO-252 TO-126 ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5)@VGS=10V RDS(ON) : 5 Low Gate Charge (Typ 11nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application: Charger,LED 3 3 3 3 1 1. Gate 2.

Другие MOSFET... SWK110R06VT , SWK120R45VT , SWK130R06VT , SWK15N04V , SWK15N06V , SWK200R10VT , SWK230R45VT , SWK30N04V , 20N50 , SWMI4N60D , SWMN10N65D , SWMN10N65K , SWMN12N65D , SWMN12N65DA , SWMN15N50D , SWMN15N65J , SWMN4N65DD .

History: BSC010NE2LSI | AOY516

 

 
Back to Top

 


 
.