SP8608 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SP8608
   Código: 8608
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 84 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 253 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMINI8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SP8608

SP8608 Datasheet (PDF)

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sp8608.pdf

GreenProductSP8608aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.4Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.9.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.9.8 @ VGS=4.0VESD Protected.20V 12A 10.5 @ VGS=3.8V12.5 @ VGS=3.1V15.0 @ VGS=2.5V5 4D2 G 26 3D

9.1. Size:97K samhop
sp8601.pdf

GreenProductSP8601aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.5Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.17.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.18.5 @ VGS=4.0V20V 7.2A 20.0 @ VGS=3.7V ESD Protected.24.5 @ VGS=3.1V27.0 @ VGS=2.5VD1 D1 D2 D2S mi

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Liste

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