SP8608 - описание и поиск аналогов

 

SP8608. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SP8608

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 253 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: SMINI8

Аналог (замена) для SP8608

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8608 даташит

 ..1. Size:96K  samhop
 sp8608.pdf pdf_icon

SP8608

Green Product SP8608 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.4 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 9.5 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 9.8 @ VGS=4.0V ESD Protected. 20V 12A 10.5 @ VGS=3.8V 12.5 @ VGS=3.1V 15.0 @ VGS=2.5V 5 4 D2 G 2 6 3 D

 9.1. Size:97K  samhop
 sp8601.pdf pdf_icon

SP8608

Green Product SP8601 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.5 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 17.5 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 18.5 @ VGS=4.0V 20V 7.2A 20.0 @ VGS=3.7V ESD Protected. 24.5 @ VGS=3.1V 27.0 @ VGS=2.5V D1 D1 D2 D2 S mi

Другие MOSFET... SP8651 , FDS6699S , SP8611 , FDS6892A , FDS6898A , FDS6898AZ , FDS6898AZF085 , FDS6900AS , IRFB4227 , FDS6910 , SP8601 , FDS6911 , FDS6930B , SP8256 , FDS6982AS , SP8255 , FDS6984AS .

History: AP2323GN | AP2323AGN | IRFR4105ZTR | AP60PN72REN

 

 

 

 

↑ Back to Top
.