SWN2N65K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWN2N65K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 96 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 21 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 20 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWN2N65K
SWN2N65K Datasheet (PDF)
swn2n65k swd2n65k.pdf
SW2N65K N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 650V TO-252 TO-251N ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.9)@VGS=10V RDS(ON) : 1.9 Low Gate Charge (Typ 7.8nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Power Supply,LED Boost 1 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source General Descrip
swn2n70d swd2n70d swl2n70d swf2n70d.pdf
SW2N70D N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252/TO-126/TO-220F MOSFET Features BVDSS : 700V TO-220F TO-251N TO-252 TO-126 ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5)@VGS=10V RDS(ON) : 5 Low Gate Charge (Typ 11nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application: Charger,LED 3 3 3 3 1 1. Gate 2.
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