SWN2N65K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWN2N65K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm

Encapsulados: TO251

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SWN2N65K datasheet

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SWN2N65K

SW2N65K N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252 MOSFET Features BVDSS 650V TO-252 TO-251N ID 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.9 )@VGS=10V RDS(ON) 1.9 Low Gate Charge (Typ 7.8nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application Power Supply,LED Boost 1 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source General Descrip

 9.1. Size:1061K  samwin
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SWN2N65K

SW2N70D N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252/TO-126/TO-220F MOSFET Features BVDSS 700V TO-220F TO-251N TO-252 TO-126 ID 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5 )@VGS=10V RDS(ON) 5 Low Gate Charge (Typ 11nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application Charger,LED 3 3 3 3 1 1. Gate 2.

Otros transistores... SWMN6N65K, SWMN7N65J, SWMN7N65K, SWMN7N90D, SWMN8N65LA, SWN10N50K, SWN10N65K, SWN10N80K2, STF13NM60N, SWN2N70D, SWN3N80D, SWN4N50K, SWN4N65DA, SWN4N65DD, SWN4N65K2, SWN4N70D1, SWN4N70K2