SWN2N65K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SWN2N65K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWN2N65K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWN2N65K даташит

 ..1. Size:688K  samwin
 swn2n65k swd2n65k.pdf pdf_icon

SWN2N65K

SW2N65K N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252 MOSFET Features BVDSS 650V TO-252 TO-251N ID 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.9 )@VGS=10V RDS(ON) 1.9 Low Gate Charge (Typ 7.8nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application Power Supply,LED Boost 1 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source General Descrip

 9.1. Size:1061K  samwin
 swn2n70d swd2n70d swl2n70d swf2n70d.pdf pdf_icon

SWN2N65K

SW2N70D N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-252/TO-126/TO-220F MOSFET Features BVDSS 700V TO-220F TO-251N TO-252 TO-126 ID 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5 )@VGS=10V RDS(ON) 5 Low Gate Charge (Typ 11nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application Charger,LED 3 3 3 3 1 1. Gate 2.

Другие IGBT... SWMN6N65K, SWMN7N65J, SWMN7N65K, SWMN7N90D, SWMN8N65LA, SWN10N50K, SWN10N65K, SWN10N80K2, STF13NM60N, SWN2N70D, SWN3N80D, SWN4N50K, SWN4N65DA, SWN4N65DD, SWN4N65K2, SWN4N70D1, SWN4N70K2