SWN3N80D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWN3N80D
   Código: SW3N80D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 142 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 17 nC
   Tiempo de subida (tr): 22 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 57 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWN3N80D

SWN3N80D Datasheet (PDF)

..1. Size:655K samwin
swf3n80d swn3n80d swd3n80d.pdf

SW3N80D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-251N TO-252 BVDSS : 800V TO-220F High ruggedness ID : 3A Low RDS(ON) (Typ 3.8)@VGS=10V RDS(ON) : 3.8 Low Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 Application: DC-DCLEDPC 3 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: