SWN3N80D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SWN3N80D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWN3N80D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWN3N80D даташит

 ..1. Size:655K  samwin
 swf3n80d swn3n80d swd3n80d.pdf pdf_icon

SWN3N80D

SW3N80D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-251N TO-252 BVDSS 800V TO-220F High ruggedness ID 3A Low RDS(ON) (Typ 3.8 )@VGS=10V RDS(ON) 3.8 Low Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 Application DC-DC LED PC 3 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source

Другие IGBT... SWMN7N65K, SWMN7N90D, SWMN8N65LA, SWN10N50K, SWN10N65K, SWN10N80K2, SWN2N65K, SWN2N70D, 2N60, SWN4N50K, SWN4N65DA, SWN4N65DD, SWN4N65K2, SWN4N70D1, SWN4N70K2, SWN4N70L, SWN4N80D