Справочник MOSFET. SWN3N80D

 

SWN3N80D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWN3N80D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWN3N80D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:655K  samwin
 swf3n80d swn3n80d swd3n80d.pdf pdf_icon

SWN3N80D

SW3N80D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-251N TO-252 BVDSS : 800V TO-220F High ruggedness ID : 3A Low RDS(ON) (Typ 3.8)@VGS=10V RDS(ON) : 3.8 Low Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 Application: DC-DCLEDPC 3 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFSZ14A | FIR5N60FG | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | QM0008J

 

 
Back to Top

 


 
.