SP8601 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SP8601
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.47 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0175 Ohm
Encapsulados: SMINI8
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SP8601 datasheet
sp8601.pdf
Green Product SP8601 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.5 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 17.5 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 18.5 @ VGS=4.0V 20V 7.2A 20.0 @ VGS=3.7V ESD Protected. 24.5 @ VGS=3.1V 27.0 @ VGS=2.5V D1 D1 D2 D2 S mi
sp8608.pdf
Green Product SP8608 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.4 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 9.5 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 9.8 @ VGS=4.0V ESD Protected. 20V 12A 10.5 @ VGS=3.8V 12.5 @ VGS=3.1V 15.0 @ VGS=2.5V 5 4 D2 G 2 6 3 D
Otros transistores... SP8611 , FDS6892A , FDS6898A , FDS6898AZ , FDS6898AZF085 , FDS6900AS , SP8608 , FDS6910 , 10N60 , FDS6911 , FDS6930B , SP8256 , FDS6982AS , SP8255 , FDS6984AS , SP8076EL , FDS6986AS .
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