Справочник MOSFET. SP8601

 

SP8601 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SP8601
   Маркировка: 8601
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm
   Тип корпуса: SMINI8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  samhop
 sp8601.pdf pdf_icon

SP8601

GreenProductSP8601aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.5Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.17.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.18.5 @ VGS=4.0V20V 7.2A 20.0 @ VGS=3.7V ESD Protected.24.5 @ VGS=3.1V27.0 @ VGS=2.5VD1 D1 D2 D2S mi

 9.1. Size:96K  samhop
 sp8608.pdf pdf_icon

SP8601

GreenProductSP8608aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.4Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.9.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.9.8 @ VGS=4.0VESD Protected.20V 12A 10.5 @ VGS=3.8V12.5 @ VGS=3.1V15.0 @ VGS=2.5V5 4D2 G 26 3D

Другие MOSFET... SP8611 , FDS6892A , FDS6898A , FDS6898AZ , FDS6898AZF085 , FDS6900AS , SP8608 , FDS6910 , IRFB4227 , FDS6911 , FDS6930B , SP8256 , FDS6982AS , SP8255 , FDS6984AS , SP8076EL , FDS6986AS .

 

 
Back to Top

 


 
.