SWN8N80K Todos los transistores

 

SWN8N80K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWN8N80K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 181 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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SWN8N80K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:986K  samwin
 swf8n80k swi8n80k swn8n80k swd8n80k swu8n80k.pdf pdf_icon

SWN8N80K

SW8N80K N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-262 MOSFET Features BVDSS : 800V TO-220F TO-251 TO-251N TO-252 TO-262 ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.67)@VGS=10V RDS(ON) : 0.67 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 3 3 3 3 Application:Adapter,LE

Otros transistores... SWN6N60D , SWN6N65K , SWN6N70DB , SWN7N65DA , SWN7N65DD , SWN7N65K , SWN7N65K2 , SWN7N65M , 2N7002 , SWNB4N65DA , SWNC4N65DC , SWNC4N65DD , SWNC4N70D1 , SWNX8N65D , SWP020R03VLT , SWP030R04VT , SWP031R06ET .

History: FQPF7N65CYDTU | SVF2N70F | 2SK2646-01 | BSC070N10NS3G | DMN3050S-7 | SQ2315ES | MTNN8453KQ8

 

 
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