SWN8N80K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SWN8N80K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 181 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для SWN8N80K
SWN8N80K Datasheet (PDF)
swf8n80k swi8n80k swn8n80k swd8n80k swu8n80k.pdf

SW8N80K N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-262 MOSFET Features BVDSS : 800V TO-220F TO-251 TO-251N TO-252 TO-262 ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.67)@VGS=10V RDS(ON) : 0.67 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 3 3 3 3 Application:Adapter,LE
Другие MOSFET... SWN6N60D , SWN6N65K , SWN6N70DB , SWN7N65DA , SWN7N65DD , SWN7N65K , SWN7N65K2 , SWN7N65M , 2N7002 , SWNB4N65DA , SWNC4N65DC , SWNC4N65DD , SWNC4N70D1 , SWNX8N65D , SWP020R03VLT , SWP030R04VT , SWP031R06ET .
History: AM3524C | SI7392ADP | SSM5N05FU | IRFY110 | AONV095A60 | IRFU9220PBF | IPB034N06N3G
History: AM3524C | SI7392ADP | SSM5N05FU | IRFY110 | AONV095A60 | IRFU9220PBF | IPB034N06N3G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent