SWN8N80K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SWN8N80K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 181 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWN8N80K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWN8N80K даташит

 ..1. Size:986K  samwin
 swf8n80k swi8n80k swn8n80k swd8n80k swu8n80k.pdf pdf_icon

SWN8N80K

SW8N80K N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-262 MOSFET Features BVDSS 800V TO-220F TO-251 TO-251N TO-252 TO-262 ID 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.67 )@VGS=10V RDS(ON) 0.67 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 3 3 3 3 Application Adapter,LE

Другие IGBT... SWN6N60D, SWN6N65K, SWN6N70DB, SWN7N65DA, SWN7N65DD, SWN7N65K, SWN7N65K2, SWN7N65M, MMIS60R580P, SWNB4N65DA, SWNC4N65DC, SWNC4N65DD, SWNC4N70D1, SWNX8N65D, SWP020R03VLT, SWP030R04VT, SWP031R06ET