SWNB4N65DA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWNB4N65DA
Código: SW4N65DA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 113.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 13 nC
Tiempo de subida (tr): 26 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 49 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3.65 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
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SWNB4N65DA Datasheet (PDF)
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SW4N65DAN-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252/TO-251NX-S4 MOSFETFeaturesBVDSS : 650VTO-220F TO-251N TO-252 TO-251NX-S4ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 3.35)@VGS=10VRDS(ON) :3.35 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability D1 100% Avalanche Tested 1 1122 223 Application: Charger, Adaptor, 333LED, TV-Pow
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