Справочник MOSFET. SWNB4N65DA

 

SWNB4N65DA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWNB4N65DA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.65 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWNB4N65DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1095K  samwin
 swf4n65da swn4n65da swd4n65da swnb4n65da.pdf pdf_icon

SWNB4N65DA

SW4N65DAN-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252/TO-251NX-S4 MOSFETFeaturesBVDSS : 650VTO-220F TO-251N TO-252 TO-251NX-S4ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 3.35)@VGS=10VRDS(ON) :3.35 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability D1 100% Avalanche Tested 1 1122 223 Application: Charger, Adaptor, 333LED, TV-Pow

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IXFT12N100 | SPN50T10 | IPD50R280CE | SIA485DJ | IXFH120N15P | NDT6N70 | SM4842NSK

 

 
Back to Top

 


 
.