SWNB4N65DA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SWNB4N65DA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.65 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWNB4N65DA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWNB4N65DA даташит

 ..1. Size:1095K  samwin
 swf4n65da swn4n65da swd4n65da swnb4n65da.pdf pdf_icon

SWNB4N65DA

SW4N65DA N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252/TO-251NX-S4 MOSFET Features BVDSS 650V TO-220F TO-251N TO-252 TO-251NX-S4 ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 3.35 )@VGS=10V RDS(ON) 3.35 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability D 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 3 Application Charger, Adaptor, 3 3 3 LED, TV-Pow

Другие IGBT... SWN6N65K, SWN6N70DB, SWN7N65DA, SWN7N65DD, SWN7N65K, SWN7N65K2, SWN7N65M, SWN8N80K, AOD4184A, SWNC4N65DC, SWNC4N65DD, SWNC4N70D1, SWNX8N65D, SWP020R03VLT, SWP030R04VT, SWP031R06ET, SWP035R10E6S