SWP020R03VLT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWP020R03VLT
   Código: SW020R03VLT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 192.3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 180 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
   Carga de la puerta (Qg): 140 nC
   Tiempo de subida (tr): 64 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1018 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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SWP020R03VLT Datasheet (PDF)

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swp020r03vlt swb020r03vlt.pdf

SW020R03VLTN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-263TO-220BVDSS : 30V High ruggednessID : 180A Low RDS(ON) (Typ 3.6m)@VGS=4.5V(Typ 2.1m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.6m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 140nC)2.1m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 112 100% Avalanche Tested 2233 Application:Synchronous Rectification,Li B

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Liste

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