SWP020R03VLT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWP020R03VLT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1018 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de SWP020R03VLT MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SWP020R03VLT datasheet

 ..1. Size:753K  samwin
 swp020r03vlt swb020r03vlt.pdf pdf_icon

SWP020R03VLT

SW020R03VLT N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS 30V High ruggedness ID 180A Low RDS(ON) (Typ 3.6m )@VGS=4.5V (Typ 2.1m )@VGS=10V RDS(ON) 3.6m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 140nC) 2.1m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 2 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 Application Synchronous Rectification, Li B

Otros transistores... SWN7N65K2, SWN7N65M, SWN8N80K, SWNB4N65DA, SWNC4N65DC, SWNC4N65DD, SWNC4N70D1, SWNX8N65D, IRF730, SWP030R04VT, SWP031R06ET, SWP035R10E6S, SWP036R10E8S, SWP038R04VT, SWP042R10ES, SWP046R08E8T, SWP046R08E9T