SWP020R03VLT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SWP020R03VLT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1018 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SWP020R03VLT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP020R03VLT даташит

 ..1. Size:753K  samwin
 swp020r03vlt swb020r03vlt.pdf pdf_icon

SWP020R03VLT

SW020R03VLT N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS 30V High ruggedness ID 180A Low RDS(ON) (Typ 3.6m )@VGS=4.5V (Typ 2.1m )@VGS=10V RDS(ON) 3.6m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 140nC) 2.1m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 2 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 Application Synchronous Rectification, Li B

Другие IGBT... SWN7N65K2, SWN7N65M, SWN8N80K, SWNB4N65DA, SWNC4N65DC, SWNC4N65DD, SWNC4N70D1, SWNX8N65D, IRF730, SWP030R04VT, SWP031R06ET, SWP035R10E6S, SWP036R10E8S, SWP038R04VT, SWP042R10ES, SWP046R08E8T, SWP046R08E9T