SP8255 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SP8255
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 136 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SP8255

SP8255 Datasheet (PDF)

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sp8255.pdf

GreenProductSP8255aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.15.0 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.16.0 @ VGS=4.0V ESD Protected.16.5 @ VGS=3.7V20V 7A18.0 @ VGS=3.1V23.0 @ VGS=2.5VG2DF N 2X 5S

9.1. Size:101K samhop
sp8256.pdf

GreenProductSP8256aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.3Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.8.3 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.8.6 @ VGS=3.9VESD Protected.9.0 @ VGS=3.5V20V 11A10.0 @ VGS=3.1V12.5 @ VGS=2.5VG2DF N 2X5DF

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Liste

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