SP8255 - описание и поиск аналогов

 

SP8255. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SP8255

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 136 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: DFN2X5

Аналог (замена) для SP8255

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8255 даташит

 ..1. Size:95K  1
 sp8255.pdf pdf_icon

SP8255

Green Product SP8255 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 15.0 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 16.0 @ VGS=4.0V ESD Protected. 16.5 @ VGS=3.7V 20V 7A 18.0 @ VGS=3.1V 23.0 @ VGS=2.5V G2 DF N 2X 5 S

 9.1. Size:101K  samhop
 sp8256.pdf pdf_icon

SP8255

Green Product SP8256 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.3 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 8.3 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 8.6 @ VGS=3.9V ESD Protected. 9.0 @ VGS=3.5V 20V 11A 10.0 @ VGS=3.1V 12.5 @ VGS=2.5V G2 DF N 2X5 D F

Другие MOSFET... FDS6900AS , SP8608 , FDS6910 , SP8601 , FDS6911 , FDS6930B , SP8256 , FDS6982AS , 8205A , FDS6984AS , SP8076EL , FDS6986AS , SP8076E , FDS6990AS , SP8076 , FDS6994S , SP8013 .

History: FDS6984AS | SE3401 | SP8076EL | SE2312 | FKP250A | STM6718

 

 

 

 

↑ Back to Top
.