Справочник MOSFET. SP8255

 

SP8255 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SP8255
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 136 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X5
 

 Аналог (замена) для SP8255

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8255 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  1
 sp8255.pdf pdf_icon

SP8255

GreenProductSP8255aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.15.0 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.16.0 @ VGS=4.0V ESD Protected.16.5 @ VGS=3.7V20V 7A18.0 @ VGS=3.1V23.0 @ VGS=2.5VG2DF N 2X 5S

 9.1. Size:101K  samhop
 sp8256.pdf pdf_icon

SP8255

GreenProductSP8256aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.3Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.8.3 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.8.6 @ VGS=3.9VESD Protected.9.0 @ VGS=3.5V20V 11A10.0 @ VGS=3.1V12.5 @ VGS=2.5VG2DF N 2X5DF

Другие MOSFET... FDS6900AS , SP8608 , FDS6910 , SP8601 , FDS6911 , FDS6930B , SP8256 , FDS6982AS , 2SK3878 , FDS6984AS , SP8076EL , FDS6986AS , SP8076E , FDS6990AS , SP8076 , FDS6994S , SP8013 .

History: IRLI530N | XP152A12CO | XP151A13AO

 

 
Back to Top

 


 
.