SWP090R08ET MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWP090R08ET
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 254 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de SWP090R08ET MOSFET
SWP090R08ET Datasheet (PDF)
swp090r08et swb090r08et.pdf

SW090R08ETN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263 BVDSS : 80VID : 80A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m)@VGS=10VRDS(ON) : 9.0mLow Gate Charge (Typ 77nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested1 12 2 Application:Synchronous Rectification, 3 31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2. Drain 3. Sour
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History: STF4N80K5 | AONA66916 | TF2302 | NTLJS1102PTBG | IXTU12N06T | DMHT6016LFJ
History: STF4N80K5 | AONA66916 | TF2302 | NTLJS1102PTBG | IXTU12N06T | DMHT6016LFJ



Liste
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