Справочник MOSFET. SWP090R08ET

 

SWP090R08ET Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWP090R08ET
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 254 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SWP090R08ET

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP090R08ET Datasheet (PDF)

 ..1. Size:833K  samwin
 swp090r08et swb090r08et.pdf pdf_icon

SWP090R08ET

SW090R08ETN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263 BVDSS : 80VID : 80A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m)@VGS=10VRDS(ON) : 9.0mLow Gate Charge (Typ 77nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested1 12 2 Application:Synchronous Rectification, 3 31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2. Drain 3. Sour

Другие MOSFET... SWP078R08E8T , SWP078R08ET , SWP085R06V7T , SWP085R06VT , SWP085R68E7T , SWP086R68E7T , SWP088R06VT , SWP088R08E8T , RFP50N06 , SWP100N10A , SWP100N10B , SWP100R10VT , SWP10N50K , SWP10N65D , SWP10N65K , SWP110R06VT , SWP11N65D .

History: HGN050N10AL | HGP115N15S | APT5024BLLG | 2SK3099LS | RJL5014DPP | TPCC8001-H | AP20N15AGH

 

 
Back to Top

 


 
.