SWP090R08ET datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SWP090R08ET

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 254 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SWP090R08ET

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP090R08ET даташит

 ..1. Size:833K  samwin
 swp090r08et swb090r08et.pdf pdf_icon

SWP090R08ET

SW090R08ET N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-263 BVDSS 80V ID 80A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m )@VGS=10V RDS(ON) 9.0m Low Gate Charge (Typ 77nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application Synchronous Rectification, 3 3 1 Li Battery Protect Board, Inverter 1. Gate 2. Drain 3. Sour

Другие IGBT... SWP078R08E8T, SWP078R08ET, SWP085R06V7T, SWP085R06VT, SWP085R68E7T, SWP086R68E7T, SWP088R06VT, SWP088R08E8T, AON7410, SWP100N10A, SWP100N10B, SWP100R10VT, SWP10N50K, SWP10N65D, SWP10N65K, SWP110R06VT, SWP11N65D