SWP090R08ET MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWP090R08ET
Маркировка: SW090R08ET
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 77 nC
Время нарастания (tr): 50 ns
Выходная емкость (Cd): 254 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0105 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SWP090R08ET
SWP090R08ET Datasheet (PDF)
..1. Size:833K samwin
swp090r08et swb090r08et.pdf
swp090r08et swb090r08et.pdf
SW090R08ETN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263 BVDSS : 80VID : 80A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m)@VGS=10VRDS(ON) : 9.0mLow Gate Charge (Typ 77nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested1 12 2 Application:Synchronous Rectification, 3 31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2. Drain 3. Sour
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
