Справочник MOSFET. SWP090R08ET

 

SWP090R08ET MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWP090R08ET
   Маркировка: SW090R08ET
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 77 nC
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 254 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SWP090R08ET

 

 

SWP090R08ET Datasheet (PDF)

 ..1. Size:833K  samwin
 swp090r08et swb090r08et.pdf

SWP090R08ET SWP090R08ET

SW090R08ETN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263 BVDSS : 80VID : 80A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m)@VGS=10VRDS(ON) : 9.0mLow Gate Charge (Typ 77nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested1 12 2 Application:Synchronous Rectification, 3 31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2. Drain 3. Sour

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: WML4N65D1B

 

 
Back to Top