SWP110R06VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWP110R06VT
Código: SW110R06VT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 138.9 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 85 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 69 nC
Tiempo de subida (tr): 34 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 218 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0125 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWP110R06VT
SWP110R06VT Datasheet (PDF)
swp110r06vt.pdf
SW110R06VTN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220 BVDSS : 60V High ruggednessID : 85A Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5V(Typ 9.6m)@VGS=10VRDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 69nC)9.6m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 223 Application: Electronic Ballast, Motor Control, Synchronous Rectificati
swp11n65d swf11n65d swu11n65d.pdf
SW11N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-262 MOSFET TO-220 TO-220F TO-262 BVDSS : 650V Features ID : 11A High ruggedness RDS(ON) : 0.75 Low RDS(ON) (Typ 0.75)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 43nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 2 3 3 3 Application: LED , Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Source
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