Справочник MOSFET. SWP110R06VT

 

SWP110R06VT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWP110R06VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SWP110R06VT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP110R06VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:654K  samwin
 swp110r06vt.pdf pdf_icon

SWP110R06VT

SW110R06VTN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220 BVDSS : 60V High ruggednessID : 85A Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5V(Typ 9.6m)@VGS=10VRDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 69nC)9.6m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 223 Application: Electronic Ballast, Motor Control, Synchronous Rectificati

 9.1. Size:813K  samwin
 swp11n65d swf11n65d swu11n65d.pdf pdf_icon

SWP110R06VT

SW11N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-262 MOSFET TO-220 TO-220F TO-262 BVDSS : 650V Features ID : 11A High ruggedness RDS(ON) : 0.75 Low RDS(ON) (Typ 0.75)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 43nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 2 3 3 3 Application: LED , Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Source

Другие MOSFET... SWP088R08E8T , SWP090R08ET , SWP100N10A , SWP100N10B , SWP100R10VT , SWP10N50K , SWP10N65D , SWP10N65K , IRLB4132 , SWP11N65D , SWP13N50D , SWP13N65K2 , SWP160R12VT , SWP17N80K , SWP180N75A , SWP19N10 , SWP20N65K .

History: FQP16N15 | UF830KG-TA3-T

 

 
Back to Top

 


 
.