SWP110R06VT - описание и поиск аналогов

 

SWP110R06VT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWP110R06VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SWP110R06VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP110R06VT даташит

 ..1. Size:654K  samwin
 swp110r06vt.pdf pdf_icon

SWP110R06VT

SW110R06VT N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features TO-220 BVDSS 60V High ruggedness ID 85A Low RDS(ON) (Typ 11m )@VGS=4.5V (Typ 9.6m )@VGS=10V RDS(ON) 11m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 69nC) 9.6m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 Application Electronic Ballast, Motor Control, Synchronous Rectificati

 9.1. Size:813K  samwin
 swp11n65d swf11n65d swu11n65d.pdf pdf_icon

SWP110R06VT

SW11N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-262 MOSFET TO-220 TO-220F TO-262 BVDSS 650V Features ID 11A High ruggedness RDS(ON) 0.75 Low RDS(ON) (Typ 0.75 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 43nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 2 3 3 3 Application LED , Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Source

Другие MOSFET... SWP088R08E8T , SWP090R08ET , SWP100N10A , SWP100N10B , SWP100R10VT , SWP10N50K , SWP10N65D , SWP10N65K , CS150N03A8 , SWP11N65D , SWP13N50D , SWP13N65K2 , SWP160R12VT , SWP17N80K , SWP180N75A , SWP19N10 , SWP20N65K .

History: AP70WN2K8L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.