SWP13N65K2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWP13N65K2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm

Encapsulados: TO220

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SWP13N65K2 datasheet

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SWP13N65K2

SW13N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262N/TO-263/ DFN5*6/QFN8*8 MOSFET Features QFN8*8 TO220F TO251 TO252 TO220 TO262N TO263 DFN5*6 BVDSS 650V High ruggedness 5 ID 13A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 0.24 ) 2 7 6 @VGS=10V 3 RDS(ON) 0.24 1 1 1 1 4 5 1 1 Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 2 2 2 1 2 3 4 2 2 3

 8.1. Size:816K  samwin
 swf13n50d swp13n50d.pdf pdf_icon

SWP13N65K2

SW13N50D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220 MOSFET TO-220F BVDSS 500V Features TO-220 ID 13A High ruggedness RDS(ON) 0.46 RDS(ON) (Typ 0.46 )@VGS=10V Gate Charge (Typ 47nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application LED,Charger 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description Thi

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