SWP13N65K2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWP13N65K2
   Código: SW13N65K2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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SWP13N65K2 Datasheet (PDF)

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swf13n65k2 swi13n65k2 swd13n65k2 swp13n65k2 swj13n65k2 swb13n65k2 swha13n65k2 swhc13n65k2.pdf

SW13N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262N/TO-263/ DFN5*6/QFN8*8 MOSFET Features QFN8*8 TO220F TO251 TO252 TO220 TO262N TO263 DFN5*6 BVDSS : 650V High ruggedness 5 ID : 13A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 0.24) 2 7 6 @VGS=10V 3 RDS(ON) : 0.24 1 1 1 1 4 5 1 1 Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 2 2 2 1 2 3 4 2 2 3

8.1. Size:816K samwin
swf13n50d swp13n50d.pdf

SW13N50D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220 MOSFET TO-220F BVDSS : 500V Features TO-220 ID : 13A High ruggedness RDS(ON) : 0.46 RDS(ON) (Typ 0.46)@VGS=10V Gate Charge (Typ 47nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:LED,Charger 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description Thi

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History: SWNX6N70DA

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