SWP13N65K2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWP13N65K2
Маркировка: SW13N65K2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 28 nC
Время нарастания (tr): 34 ns
Выходная емкость (Cd): 51 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.29 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SWP13N65K2
SWP13N65K2 Datasheet (PDF)
swf13n65k2 swi13n65k2 swd13n65k2 swp13n65k2 swj13n65k2 swb13n65k2 swha13n65k2 swhc13n65k2.pdf
SW13N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262N/TO-263/ DFN5*6/QFN8*8 MOSFET Features QFN8*8 TO220F TO251 TO252 TO220 TO262N TO263 DFN5*6 BVDSS : 650V High ruggedness 5 ID : 13A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 0.24) 2 7 6 @VGS=10V 3 RDS(ON) : 0.24 1 1 1 1 4 5 1 1 Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 2 2 2 1 2 3 4 2 2 3
swf13n50d swp13n50d.pdf
SW13N50D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220 MOSFET TO-220F BVDSS : 500V Features TO-220 ID : 13A High ruggedness RDS(ON) : 0.46 RDS(ON) (Typ 0.46)@VGS=10V Gate Charge (Typ 47nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:LED,Charger 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description Thi
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
