SWP180N75A Todos los transistores

 

SWP180N75A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWP180N75A
   Código: SW180N75A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 178 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 181 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 887 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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SWP180N75A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:520K  samwin
swp180n75a.pdf

SWP180N75A
SWP180N75A

SW180N75A N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features BVDSS : 75V TO-220 High ruggedness ID : 180A Low RDS(ON) (Typ 2.8m)@VGS=10V RDS(ON) : 2.8m Low Gate Charge (Typ 178nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 ApplicationSynchronous Rectification, 3 Li Battery Protect Board, Inverter 1 1. Gate 2. Drain 3. So

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