SWP180N75A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWP180N75A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 181 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 887 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SWP180N75A
SWP180N75A Datasheet (PDF)
swp180n75a.pdf
SW180N75A N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features BVDSS : 75V TO-220 High ruggedness ID : 180A Low RDS(ON) (Typ 2.8m)@VGS=10V RDS(ON) : 2.8m Low Gate Charge (Typ 178nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 ApplicationSynchronous Rectification, 3 Li Battery Protect Board, Inverter 1 1. Gate 2. Drain 3. So
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918