Справочник MOSFET. SWP180N75A

 

SWP180N75A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWP180N75A
   Маркировка: SW180N75A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 178 nC
   trⓘ - Время нарастания: 181 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 887 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP180N75A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:520K  samwin
 swp180n75a.pdf pdf_icon

SWP180N75A

SW180N75A N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features BVDSS : 75V TO-220 High ruggedness ID : 180A Low RDS(ON) (Typ 2.8m)@VGS=10V RDS(ON) : 2.8m Low Gate Charge (Typ 178nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 ApplicationSynchronous Rectification, 3 Li Battery Protect Board, Inverter 1 1. Gate 2. Drain 3. So

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CEF07N7

 

 
Back to Top

 


 
.