SWP3205B Todos los transistores

 

SWP3205B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWP3205B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO220

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SWP3205B datasheet

 ..1. Size:613K  samwin
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SWP3205B

SW3205B N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features BVDSS 60V TO-220 ID 110A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.8m )@VGS=10V RDS(ON) 4.8m Low Gate Charge (Typ 80nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application DC-DC Converter, Inverter, 3 1 Synchronous Rectification 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 Gene

 7.1. Size:662K  samwin
 sw3205 swp3205.pdf pdf_icon

SWP3205B

SAMWIN SW3205 N-channel MOSFET Features TO-220 BVDSS 55V ID 110A High ruggedness RDS(ON) (Max 0.008 )@VGS=10V RDS(ON) 0.008 ohm Gate Charge (Typ 146nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This N-channel enhancement mode field-effect power transistor using SAMWIN semiconductor

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History: 2SK3443

 

 

 

 

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