SWP3205B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWP3205B
Código: SW3205B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 167 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 110 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 80 nC
Tiempo de subida (tr): 44 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 540 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWP3205B
SWP3205B Datasheet (PDF)
swp3205b.pdf
SW3205B N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features BVDSS : 60V TO-220 ID : 110A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.8m)@VGS=10V RDS(ON) : 4.8m Low Gate Charge (Typ 80nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application: DC-DC Converter, Inverter, 3 1 Synchronous Rectification 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 Gene
sw3205 swp3205.pdf
SAMWIN SW3205N-channel MOSFETFeatures TO-220BVDSS : 55VID : 110A High ruggedness RDS(ON) (Max 0.008 )@VGS=10VRDS(ON) : 0.008 ohm Gate Charge (Typ 146nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested212311. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description3This N-channel enhancement mode field-effect power transistor using SAMWINsemiconductor
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .